极紫外光刻中，光子随机到达导致光刻胶局部化学反应不均，引发线边缘粗糙度（LER）与局部关键尺寸（LCDU）波动。本文分析其物理机制，并从环境控制角度提出改善策略，强调使用专业防潮设备对稳定工艺的重要性。

极紫外光刻中线边缘粗糙度与局部关键尺寸波动的成因及控制策略

一、EUV光刻中的光子随机性

极紫外光刻（EUV）使用波长约13.5nm的光子，其能量远高于传统光刻光源。由于光子数量有限且到达时间随机，光刻胶的曝光过程存在统计涨落。每个光子与光刻胶分子反应的概率不同，导致局部反应程度不一致，从而引发后续显影时的不均匀。

二、LER与LCDU的定义及影响

线边缘粗糙度（LER）